邓二平，男，1989年，博士，合肥综合性国家科学中心能源研究院研究员。
合肥工业大学电气与自动化工程学院教授，博士生导师。2013年哈尔滨工工业大学学士，2018年华北电力大学博士（硕博连续）。2014-2017年国网全球能源互联网研究院助理工程师， 2018-2020年德国开姆尼茨工业大学博士后，2018-2022年华北电力大学讲师，2020-2022年华电（烟台）功率半导体技术研究院副院长，2022年加入合肥工业大学。
办公电话：13260057843
电子邮件：erping.deng@hfut.edu.cn
研究方向：
[1] 功率半导体器件长期可靠性评估、寿命模型建立和失效机理研究；
[2] 功率半导体器件在线状态监测和应用可靠性研究；
[3] 功率半导体器件功率循环等可靠性测试方法、加速老化机理和理论研究；
[4] 高压大功率IGBT器件封装、热管理和可靠性评估技术研究；
[5] 宽禁带半导体器件(SiC和GaN)可靠性评估方法、封装技术研究。
科研工作：
主持国家自然科学基金青年（C类）和面上项目各1项、国家重点研发计划课题1项；负责国家自然科学基金重点项目课题1项；主持中央高校基金和全国重点实验室项目6项；企业合作项目(横向项目)40余项，如德国Infineon总部项目，Infineon 压接项目，德国3-5PE项目，日本Toshiba压接项目，中车电动汽车模块项目，华为电动汽车模块项目，南瑞联研半导体压接和电网模块项目，中国铁科院6.5kV高铁模块项目，蔚来汽车电动汽车模块项目和其他SiC和GaN器件项目等;累积发表高水平论文150余篇，其中SCI/EI检索论文90余篇，申请发明专利60余项，受国外出版社邀请编写2本英文书籍部分章节，出版中文专著2本。
在研项目：
[1] 国家自然科学基金面上项目，多芯片并联的超大功率压接型IGBT器件老化参数表征及机理研究，起止：2026.01-2029.12，总经费50万元，项目负责人；
[2] 国家重点研发计划项目，基于抗强电磁干扰信号调理与多频电容分析技术的高分辨率源表研发，，起止：2024.12-2027.12，总经费130万元，项目负责人；
[3] 国家科技部全国重点实验室项目，考虑空间布局耦合的器件应用可靠性评估技术，起止：2024.07-2026.12，总经费209万元，项目负责人；
[4] 中国铁科院定向横向项目，IGBT性能退化研究-IGBT加速老化试验与数据分析，起止：2025.08-2026.06，总经费140万元，项目负责人；
[5] 华为海思定制化测试技术横向项目，功率器件AC HTC能力验证技术合作项目，起止：2025.05-2026.03，总经费216万元，项目负责人；
[6] 华为2012实验室定制化测试技术横向项目，多热源耦合场景下的热阻测试技术合作项目，起止：2025.06-2026.03，总经费108万元，项目负责人；
[7] 江苏宏微科技股份有限公司横向项目，功率器件可靠性评测方法和寿命预测（600万全部到位），起止：2025.06-2029.12，总经费600万元，项目负责人。
代表论文：
[1] Erping Deng*, Weinan Chen, Patrick Heimler, Josef Lutz, Temperature Influence on the Accuracy of the Transient Dual Interface Method for the Junction-to-Case Thermal Resistance Measurement, IEEE Transactions on Power Electronics, 2021. 36,(07) :7451-7460；
[2] Erping Deng*, Ludger Borucki, Josef Lutz, Correction of Delay-Time-Induced Maximum Junction Temperature Offset During Electrothermal Characterization of IGBT Devices, IEEE Transactions on Power Electronics, 2021. 36(03): 2564-2573；
[3] Erping Deng*, Zhibin Zhao, Peng Zhang, Xiaochuan Luo, Jinyuan Li, Yongzhang Huang, Study on the Method to Measure Thermal Contact Resistance Within Press Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2019. 34(02): 1509-1517；
[4] Erping Deng*, Zhibin Zhao, Zhongkang Li, Ronggang Han, Yongzhang Huang, Influence of Temperature on the Pressure Distribution Within Press Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2018,33(07) :6048-6059；
[5] Erping Deng*, Zhibin Zhao, Peng Zhang, Jinyuan Li, Yongzhang Huang, Study on the Method to Measure the Junction-to-Case Thermal Resistance of Press-Pack IGBTs, IEEE Transactions on Power Electronics, 2018,33(05): 4352-4361。
代表专利：
[1] 邓二平，赵志斌，陈杰，黄永章，一种预测功率器件结温的方法及系统，申请号：ZL201710508574.3，申请日：2017-06-28，授权日：2020-06-19；
[2] 邓二平，陈杰，赵志斌，郭楠伟，黄永章，一种恒温装置温度的调节方法及调节系统，申请号：ZL201710646098.1，申请日：2017-08-01，授权日：2019-05-21；
[3] 邓二平，申雅茹，赵志斌，黄永章，一种功率半导体器件热特性参数的确定方法及系统，申请号：ZL201711135701.6，申请日：2017-11-16，授权日：2020-04-07；
[4] 邓二平，陈杰，郭楠伟，赵志斌，黄永章，一种半导体器件的功率循环测试系统，ZL201810651955.1，申请日：2018-06-22，授权日：2021-11-02；
[5] 邓二平，赵雨山，郭楠伟，赵志斌，黄永章，一种半导体器件的功率循环测试方法及测试系统，ZL201810652147.7，申请日：2018-06-22，授权日：2019-09-03。
成果奖励：
[1] 基于压接型IGBT器件相关研究工作，第二完成人，获2021年电工技术学会技术发明二等奖。